Один из приемов технического анализа — построение графиков на основе скользящей средней. Она рассчитывается как средняя Арифметическая цен акции за определенное количество дней, которое Убирает аналитик. Данная техника называется "скользящая средняя", так как при определении ее значения на следующий день из расчета исключается самая старая цена акции и включается последняя. Такой прием позволяет получить более сглаженный тренд и отчасти абстрагироваться от ежедневных колебаний цены акции. Сглаженность тренда зависит от количества дней, которые принимаются в Качестве базы для расчета. Сопоставление графиков, построенных на основе скользящей средней и ежедневных значений цены, позволяет аналитикам делать прогнозы относительно моментов перелома тренда.
Рис. 7. Фигура "голова и плечи".
Помимо изучения графиков цен акций технический аналитик обращает внимание и на объем торговли. Многие инвесторы полагают, что рост объема торговли, сопровождаемый ростом цен — это ситуация, говорящая о сохранении существующего повышающегося тренда. Когда и цена, и объем торговли растут медленно и после этого происходит резкое падение цены, то можно ожидать начала понижающегося тренда.
Если существовал повышающийся тренд, и после этого наблюдается увеличение объема торговли при слабом росте цен, можно ожидать смены тренда.
Если существовал понижающийся тренд и после этого наблюдается увеличение объема торговли при незначительном изменении цены. можно ожидать смены тренда.
В целом рост объемов торговли говорит о появлении интереса инвесторов к рынку и о том, что у них произошла переоценка мнений в отношении конъюнктуры рынка.
Следующая характеристика, учитываемая в техническом анализе, — это определение числа непокрытых продаж акций (коротких продаж). Когда инвесторы полагают, что курсовая стоимость акций будет падать, они занимают бумаги и продают их в надежде выкупить позже по более низкой цене. Рост количества открытых позиций коротких продаж говорит о том, что текущая конъюнктура имеет понижающийся тренд. В то же время можно ожидать, что в будущем тренд изменится на повышающийся, так как продавцы коротких акции должны будут их выкупить, чтобы вернуть кредиторам. Это возможно удержит цены от дальнейшего понижения или даже вызовет их пост. Конкретная картина зависит от объема открытых коротких позиций п0 сравнению со средним ежедневным объемом торговли. Если он начинает превышать средний объем дневной торговли, можно ожидать повышения цен. Аналитики полагают: сигналом к покупке должна служить ситуация, когда стоимость открытых коротких позиций превысит средний объем дневной торговли в 1,5 раза.
В рамках технического анализа существует теория противоположного мнения, согласно которой инвестор должен предпринимать действия, противоположные общему настроению на рынке, т.е. продавать, когда остальные лица стремятся купить бумаги, и покупать их, когда другие стараются их продать. Одним из элементов теории противоположного мнения является учет действий мелких инвесторов. Опытный аналитик должен следить за их поведением на рынке и в ряде случаев принимать решения противоположные их действиям. Такой вывод возникает в связи с тем, что мелкий инвестор часто запаздывает с выходом на рынок. Он начинает активно покупать акции, когда повышающийся тренд практически исчерпал себя, и увеличивает продажи, когда понижающийся тренд близок к своему завершению.
ЯШИЛЬКУЛЬ , озеро на Вост. Памире, в Таджикистане, на высоте 3734 м. 36,1 км2. Глубина до 50 м. Из озера вытекает р. Гунт.
БИБИ-ХАНЫМ , легендарное название архитектурного памятника 1399-1404 в Самарканде - грандиозной соборной мечети Тимура (сохранилась в руинах), богато украшенной изразцами, резным мрамором, росписями. В ансамбле с Биби-Ханым - медресе Сарап-Мульк-Ханым (сохранился угловой 8-гранный мавзолей с изразцовым и расписным декором).
ФОТОРЕЗИСТЫ , органические материалы, чувствительные к оптическому излучению видимой и ультрафиолетовой области. Наиболее широко используются в микроэлектронике при создании искусственных спутников, запоминающих устройств и др. по методу планарной технологии для формирования заданного рельефного рисунка на поверхности полупроводника или диэлектрической основы перед ее легированием.