Исходя из данных таблицы можно заметить что выручка от реализации продукции на протяжении всех четырех лет возрастала.
В 1996 году по сравнению с 1993годом она выросла в 4 раза. На данном предприятии прочие доходы и расходы формируются за счет сырых табаков, операций с тарой и дивидендов ,полученных от акций банка. Показатель ”Прочие доходы” в 1993 году является самым высоким по сравнению с остальными годами, за счет увеличения цен на возвратную тару.
Рассматривая показатели балансовой и чистой прибыли можно сделать вывод, что валовая прибыль в 1996 году по сравнению с 1993 годом возросла в 1,7 раза, а чистая в 1,6 раз, что свидетельствует об увеличении платежей в бюджет.
Таким образом мы проанализировали динамику финансовых резервов предприятия. Для оценки прибыльности рассмотрим группу показателей рентабельности среди которых можно выделить следующие, приведенные в таблице, где приведены показатели рентабельности предприятия.
Таблица 3.3. Показатели рентабельности предприятия (лей)
| Показатели | 1993 | 1994 | 1995 | 1996 |
|
Рентабельность продукции | 0,3 | 0,2 | 0,2 | 0,16 |
|
Рентабельность осн. деятельности | 1,5 | 0,4 | 0,3 | 0,23 |
|
Рентабельность осн. капитала | 4 | 0,2 | 0,14 | 0,2 |
|
Рентабельность собственного капитала | 0,9 | 0,2 | 0,2 | 0,4 |
ЛУКОНИН Михаил Кузьмич (1918-76) , русский поэт. В поэмах ("Рабочий день", 1948), сборниках "Сердцебиение" (1947), "Необходимость" (1969), "Пять книг" (1974) - темы войны, труда, любви. Государственная премия СССР (1949, 1973).
ЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ ТОРМОЖЕНИЕ , осуществляется либо переключением исполнительного электродвигателя движущегося механизма в генераторный режим (при этом кинетическая энергия механизма преобразуется в электрическую), либо изменением направления вращающего момента электродвигателя.
ФОТОРЕЗИСТЫ , органические материалы, чувствительные к оптическому излучению видимой и ультрафиолетовой области. Наиболее широко используются в микроэлектронике при создании искусственных спутников, запоминающих устройств и др. по методу планарной технологии для формирования заданного рельефного рисунка на поверхности полупроводника или диэлектрической основы перед ее легированием.