Перед бухгалтерским учетом производственных запасов стоят следующие задачи:
– контроль за сохранностью запасов на складах;
– контроль за состоянием складских запасов;
– документальное оформление всех операций по поступлению и расходу производственных запасов;
– выбор обоснованной учетной политики в отношении метода оценки материалов;
– определение всех затрат, связанных с приобретением запасов;
– списание стоимости израсходованных материалов на затраты предприятия и в себестоимость продукции.
Для обеспечения учета материалов на должном уровне должны соблюдаться определенные условия:
– хранение материалов должно осуществляться в складских помещениях, приспособленных к определенным их видам;
– прием и отпуск ценностей должны измеряться, для чего склады должны обеспечиваться весоизмерительными приборами;
– с работниками складов необходимо заключать договоры о материальной ответственности.
2. Классификация производственных запасов.
Все запасы предприятия можно разделить на три группы (рис. 1).
| |||||||
![]() | ![]() | ||||||
| |||||||
УРБЕН (Urbain) Жорж (1872-1938) , французский химик, иностранный член-корреспондент АН СССР (1925). Труды по химии редкоземельных элементов, комплексных соединений. Открыл (1907) лютеций.
ТУНХУА , город в Северо-Вост. Китае, пров. Гирин. 235 тыс. жителей (1990). Металлургическая, деревообрабатывающая, бумажная промышленность.
МИКРОЭЛЕКТРОНИКА (интегральная электроника) , область электроники, связанная с созданием и применением в радиоэлектронной аппаратуре узлов и блоков, выполненных на интегральных схемах и микроминиатюрных конструктивно-вспомогательных изделиях (разъемах, переключателях и т. д.), часто с использованием различных функциональных приборов (опто-, акусто-, криоэлектронных, ионных, тепловых и др.). Сформировалась в нач. 60-х гг. 20 в. Развивается в направлении уменьшения размеров элементов, размещаемых на поверхности или в объеме кристалла (чипа) отдельных интегральных схемах (на 1990 для наиболее распространенных ИС - кремниевых - эти размеры доведены до 0,2-1 мкм), повышения степени их интеграции (до 107 элементов на кристалл), увеличения максимальных размеров кристалла (до 80-100 мм2).

