(35 • 22000) + (15 - 5)60000=137000 1370000 : 45 = 30445 руб.
Исчисленная средняя величина налогооблагаемой базы выше установленного норматива (30445 руб. > 25000 руб.), что свидетельствует о возможности применения регрессивной ставки по налогу.
Вторым условием применения регрессивной шкалы является контроль размера накопленной с начала года налогооблагаемой базы.
В случае, если на момент уплаты налога за истекший месяц ее величина в среднем на одного работника менее суммы, равной 4200 руб. и умноженной на количество месяцев, истекших в текущем налоговом периоде, регрессивная ставка при расчете налога не применяется.
Пример 4. Согласно штатному расписанию количество сотрудников организации составляет 20 человек. Фонд оплаты труда за второе полугодие 2000 г. восьми работников составил 168000 руб. (по 21000 руб.).
Двенадцати работникам заработная плата начислена в размере 480000 руб. (по 40000 руб.). В целях определения возможности применения регрессивной ставки налога организация должна исчислить величину налогооблагамой базы в средней на одного работника за второе полугодие 2000 г.
Поскольку штат работников не превышает 30 человек, из облагаемой базы исключается фонд оплаты труда 30% высокооплачиваемых работников - 6 человек (2*30:100). Облагаемая база в средней на одного работника составит
(8 • 21000) + (12 - 6)40000 = 408000 руб., 408000 : 14 = 29143 руб.
Так как начисленная облагаемая база выше нормативного размера на одного работника (25000 руб.), организация имеет право применить в 2001 г. регрессивную шкалу единого социального налога (табл. 3).
Для контроля налогооблагаемой базы организация должна определять сумму выплат нарастающим итогом с начала года и исходя из ее величины — размер выплат в среднем на одного работника.
Например, в январе сумма выплат работникам организации составляет 105000 руб., в том числе 42000 руб. высокооплачиваемым работникам. В среднем на одного работника без учета высокооплачиваемых работников, выплаты составляют:
МИКРОЭЛЕКТРОНИКА (интегральная электроника) , область электроники, связанная с созданием и применением в радиоэлектронной аппаратуре узлов и блоков, выполненных на интегральных схемах и микроминиатюрных конструктивно-вспомогательных изделиях (разъемах, переключателях и т. д.), часто с использованием различных функциональных приборов (опто-, акусто-, криоэлектронных, ионных, тепловых и др.). Сформировалась в нач. 60-х гг. 20 в. Развивается в направлении уменьшения размеров элементов, размещаемых на поверхности или в объеме кристалла (чипа) отдельных интегральных схемах (на 1990 для наиболее распространенных ИС - кремниевых - эти размеры доведены до 0,2-1 мкм), повышения степени их интеграции (до 107 элементов на кристалл), увеличения максимальных размеров кристалла (до 80-100 мм2).
ЕДИНАЯ ТЕОРИЯ ПОЛЯ , квантовая теория поля, в которой различные формы материи (элементарные частицы) должны выступать как разные проявления единого поля. Построена теория электрослабого взаимодействия; существуют модели великого объединения; предпринимаются попытки включения в схему и гравитационного взаимодействия на основе суперсимметрии.
ЕПИСКОП (греч . episkopos), в православной, католической, англиканской церкви высшее духовное лицо, глава церковно-административной территориальной единицы (епархии, диоцеза). Иерархическое деление епископов (с 4 в.): патриархи, митрополиты (часть из которых имеет титул архиепископа) и собственно епископы.